MRF6S21050LR5 vs MRF6S21050LSR5 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MRF6S21050LR5 द्वारा NXP Semiconductors और MRF6S21050LSR5 द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
NXP Semiconductors
MRF6S21050LSR5 - 11.5W W-CDMA RF Power MOSFET | NXP | NI-400S
MRF6S21050LSR5 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MRF6S21050LR5 | MRF6S21050LSR5 |
|---|---|---|
| ब्रांड | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel RF Power MOSFET (LDMOS) | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| Technology | HV6 LDMOS | LDMOS (Laterally Diffused MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 28 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 450 mA | — |
| Output Power (Pout) | 11.5 W | 11.5 W CW |
| Power Gain (Gp) | 16 dB at 2.16 GHz | — |
| Operating Frequency | 2.16 GHz (W-CDMA band) | — |
| Test Conditions | 2.16 GHz, 28 V, W-CDMA modulation | — |
| पैकेज / केस | NI-400 (ceramic flanged) | NI-400S (ceramic, 2-flange) |
| माउंटिंग प्रकार | Flange mount, chassis-mount | Surface Mount / Screw-Mount |
| Configuration | Single N-channel | Single, Common Source |
| इनपुट कैपेसिटेंस | [DATA_NEEDED: input capacitance] | — |
| आउटपुट कैपेसिटेंस | [DATA_NEEDED: output capacitance] | — |
| Thermal Resistance (Rthj-c) | [DATA_NEEDED: junction-to-case thermal resistance] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40C to +150C (junction) | — |
| MSL स्तर | Not applicable (ceramic flanged) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (per distributor listing) | Compliant |
| ESD Protection | Yes (integrated, per device family) | — |
| Manufacturer | — | NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) |
| Drain-Source Voltage (VDS) Maximum | — | 65 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Maximum | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Nominal Operating Drain Voltage | — | 28 V |
| Typical Operating Frequency | — | 2.16 GHz (2110-2170 MHz W-CDMA band) |
| Power Gain (Gps) | — | 16 dB typical at 2.16 GHz |
| Drain Current (ID) at Test | — | 450 mA |
| Application | — | W-CDMA, TDMA, CDMA, multicarrier base-station PA |
| Lead-Free | — | Yes |
| Operating Mode | — | Class AB |
| MSL Rating | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |