MRFE6S9046GNR1 vs MRFE6S9046NR1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MRFE6S9046GNR1 بواسطة NXP Semiconductors و MRFE6S9046NR1 بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

NXP Semiconductors
MRFE6S9046GNR1 MRFE6S9046GNR1 - 35.5W 960MHz 28V RF Power MOSFET | NXP

MRFE6S9046GNR1 - 35.5W 960MHz 28V RF Power MOSFET | NXP

MRFE6S9046GNR1 ✓ نشط
NXP Semiconductors
MRFE6S9046NR1 MRFE6S9046NR1 - 45W RF Power MOSFET 920-960 MHz | NXP

MRFE6S9046NR1 - 45W RF Power MOSFET 920-960 MHz | NXP

MRFE6S9046NR1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MRFE6S9046GNR1 MRFE6S9046NR1
العلامة التجارية NXP Semiconductors NXP Semiconductors
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale) NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Part Number MRFE6S9046GNR1 MRFE6S9046NR1
نوع الترانزستور N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral
Technology HV6E lateral MOSFET —
Frequency Band 920 to 960 MHz —
Test Frequency 960 MHz —
Drain Voltage (VDD) 28 V (typical) —
Output Power (Pout, CW) 35.5 W —
Power Gain (Gp) 19 dB —
Drain Efficiency [DATA_NEEDED: drain efficiency %] —
Quiescent Drain Current (IDQ) 300 mA —
Input Bias Voltage Range [DATA_NEEDED: VGS range] —
العلبة / الحالة TO-270 WB-4 (Case 1486-03, Style 1), plastic overmold TO-270 WB-4 (CASE 1486-03, Style 1), plastic over-molded ceramic
نوع التركيب Surface Mount (Gull-wing leads) Surface Mount / Flange Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temp range] —
Storage Temperature Range [DATA_NEEDED: storage temp range] —
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) [DATA_NEEDED: MSL rating] —
حالة RoHS Compliant (lead-free) Compliant (per DigiKey listing)
خالٍ من الهالوجين [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Frequency Range — 920 MHz to 960 MHz
Output Power (CW) — 35.5 W typical at 960 MHz, 28 V
Power Gain — 19 dB typical at 960 MHz
Drain-Source Voltage (Vds max) — 66 V rated
Operating Drain Voltage — 28 V nominal
Test Current (Quiescent) — 300 mA
عدد الأطراف — 5 (Drain, Gate, Source x2, NC)
Application — GSM / GSM EDGE base station, CDMA, multicarrier amplifier
درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Lead-Free Status — Lead Free (per distributor data)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر