MT40A512M16AD-062E vs NT5AD512M16C4-JRU مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT40A512M16AD-062E بواسطة Micron Technology و NT5AD512M16C4-JRU بواسطة Nanya Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Micron Technology
MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron
MT40A512M16AD-062E ✓ نشطNanya Technology
NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya
NT5AD512M16C4-JRU ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | MT40A512M16AD-062E | NT5AD512M16C4-JRU |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Nanya Technology |
| الفئة | Memory ICs | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $83.00 |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gbit | — |
| التنظيم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1600 MHz (3200 Mbps data rate) |
| Access Time (Row Cycle) | 19 ns | — |
| الواجهة | Parallel (POD) | CMOS, DDR4 |
| العلبة | 96-FBGA (7.5 mm x 13.5 mm) | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AUT:E (automotive variant) | — |
| Speed Grade | -062E | — |
| جهد التغذية | [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD)] | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40 C to +95 C (industrial grade) |
| Prefetch Architecture | 8n with bank groups | — |
| HS Code (USHTS) | 8542320071 | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Green Product (per Nanya product page) |
| Standard Pack Quantity | [DATA_NEEDED: reel quantity] | — |
| Density | — | 8 Gbit |
| CAS Latency (CL) | — | 22 at 1600 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |