MT40A512M16AD-062E vs NT5AD512M16C4-JRU तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT40A512M16AD-062E द्वारा Micron Technology और NT5AD512M16C4-JRU द्वारा Nanya Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron
MT40A512M16AD-062E ✓ सक्रियNanya Technology
NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya
NT5AD512M16C4-JRU ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT40A512M16AD-062E | NT5AD512M16C4-JRU |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Nanya Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | DRAM |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $83.00 |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 8 Gbit | — |
| संगठन | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1600 MHz (3200 Mbps data rate) |
| Access Time (Row Cycle) | 19 ns | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel (POD) | CMOS, DDR4 |
| पैकेज | 96-FBGA (7.5 mm x 13.5 mm) | 96-ball FBGA (PBGA96) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AUT:E (automotive variant) | — |
| Speed Grade | -062E | — |
| सप्लाई वोल्टेज | [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD)] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40 C to +95 C (industrial grade) |
| Prefetch Architecture | 8n with bank groups | — |
| HS Code (USHTS) | 8542320071 | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Green Product (per Nanya product page) |
| Standard Pack Quantity | [DATA_NEEDED: reel quantity] | — |
| Density | — | 8 Gbit |
| CAS Latency (CL) | — | 22 at 1600 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |