MT40A512M16AD-062E vs NT5AD512M16C4-JRU তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MT40A512M16AD-062E নির্দিষ্ট Micron Technology ও NT5AD512M16C4-JRU নির্দিষ্ট Nanya Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Micron Technology
MT40A512M16AD-062E MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron

MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron

MT40A512M16AD-062E ✓ সক্রিয়
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRU NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার MT40A512M16AD-062E NT5AD512M16C4-JRU
ব্র্যান্ড Micron Technology Nanya Technology
ক্যাটাগরি Memory ICs DRAM
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
ইউনিট মূল্য (USD) — $83.00
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
মেমরি সাইজ 8 Gbit —
সংগঠন 512M x 16 512M x 16
Clock Frequency 1.6 GHz 1600 MHz (3200 Mbps data rate)
Access Time (Row Cycle) 19 ns —
ইন্টারফেস Parallel (POD) CMOS, DDR4
প্যাকেজ 96-FBGA (7.5 mm x 13.5 mm) 96-ball FBGA (PBGA96)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AUT:E (automotive variant) —
Speed Grade -062E —
সাপ্লাই ভোল্টেজ [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD)] —
অপারেটিং তাপমাত্রা [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40 C to +95 C (industrial grade)
Prefetch Architecture 8n with bank groups —
HS Code (USHTS) 8542320071 —
RoHS স্ট্যাটাস [DATA_NEEDED: RoHS status] Green Product (per Nanya product page)
Standard Pack Quantity [DATA_NEEDED: reel quantity] —
Density — 8 Gbit
CAS Latency (CL) — 22 at 1600 MHz
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট