MT41K256M16HA-125 vs H5AN8G4NCJR-XXC مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT41K256M16HA-125 بواسطة Micron Technology و H5AN8G4NCJR-xxC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ نشط
SK hynix
H5AN8G4NCJR-xxC H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MT41K256M16HA-125 H5AN8G4NCJR-xxC
العلامة التجارية Micron Technology SK hynix
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
سعر الوحدة (USD) $6.36 —
نوع الذاكرة SDRAM - DDR3L DDR4 SDRAM
حجم الذاكرة 4Gbit (256M x 16) —
عرض ناقل البيانات 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 13.75 ns —
جهد التغذية 1.35 V 1.2V
العلبة 96-FBGA (9x14 mm) FBGA
عدد الدبابيس 96 —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Logic Family CMOS —
Refresh Interval 7.8 us at 85C —
زمن الوصول CAS 11 —
Density — 8Gb
التنظيم — x4 (H5AN8G4NCJR)
معدل البيانات — [DATA_NEEDED: speed grade from xxC suffix]
RoHS — Compliant
خالٍ من الهالوجين — Yes
Prefetch — 8-bit
Burst Length — 8 (BL8)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر