N25Q016A11EV7A0 vs N25Q032A13EV7A0 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ N25Q016A11EV7A0 بواسطة Micron Technology و N25Q032A13EV7A0 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | N25Q016A11EV7A0 | N25Q032A13EV7A0 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | EEPROM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | FLASH - NOR Memory IC | NOR Flash (SPI) |
| حجم الذاكرة | 16 Mbit (2 MB) | — |
| الواجهة | SPI | SPI |
| أقصى تردد للساعة | 108 MHz | — |
| جهد التغذية | 1.8 V (V11 grade) | 2.7 V to 3.6 V |
| العلبة | 8-pin WSON (DFN-8 style, EV suffix) | VDFPN8 (8-lead MLP8) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Protocol Support | Standard SPI, Dual SPI, Quad SPI | — |
| Programming | Page program, sector/block erase | — |
| Family | N25Q | — |
| Speed Grade | 108 MHz (highest N25Q 16Mbit grade) | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | -40C to +125C |
| Erase/Program Cycles | [DATA_NEEDED: Endurance] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: Data Retention] | — |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: Package Dimensions] | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density | — | 32 Mbit (4 MB) |
| التنظيم | — | 8M x 4 die |
| Max Clock Frequency | — | 108 MHz |
| Memory Format | — | Flash (NOR) |
| Write Cycle Endurance | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: read access time] |
| Program/Erase Modes | — | Page program, sector erase, bulk erase |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL] |
| Packaging | — | Tape & Reel (tray options may exist) |