N25Q016A11EV7A0 vs N25Q032A13EV7A0 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना N25Q016A11EV7A0 द्वारा Micron Technology और N25Q032A13EV7A0 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
N25Q016A11EV7A0 N25Q016A11EV7A0 - 16Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q016A11EV7A0 - 16Mbit SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q016A11EV7A0 ✓ सक्रिय
Micron Technology
N25Q032A13EV7A0 N25Q032A13EV7A0 - 32Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q032A13EV7A0 - 32Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

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विशेषता तुलना

पैरामीटर N25Q016A11EV7A0 N25Q032A13EV7A0
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs EEPROM
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार FLASH - NOR Memory IC NOR Flash (SPI)
मेमोरी आकार 16 Mbit (2 MB) —
इंटरफ़ेस SPI SPI
अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी 108 MHz —
सप्लाई वोल्टेज 1.8 V (V11 grade) 2.7 V to 3.6 V
पैकेज 8-pin WSON (DFN-8 style, EV suffix) VDFPN8 (8-lead MLP8)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Protocol Support Standard SPI, Dual SPI, Quad SPI —
Programming Page program, sector/block erase —
Family N25Q —
Speed Grade 108 MHz (highest N25Q 16Mbit grade) —
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: Operating Temperature] -40C to +125C
Erase/Program Cycles [DATA_NEEDED: Endurance] —
Data Retention [DATA_NEEDED: Data Retention] —
Package Dimensions [DATA_NEEDED: Package Dimensions] —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Density — 32 Mbit (4 MB)
संगठन — 8M x 4 die
Max Clock Frequency — 108 MHz
Memory Format — Flash (NOR)
Write Cycle Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Access Time — [DATA_NEEDED: read access time]
Program/Erase Modes — Page program, sector erase, bulk erase
MSL स्तर — [DATA_NEEDED: MSL]
Packaging — Tape & Reel (tray options may exist)

डेटाशीट और संसाधन

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