NT5CB256M16CP-EK vs K4B4G1646E-BYMA مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ NT5CB256M16CP-EK بواسطة Nanya Technology و K4B4G1646E-BYMA بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-EK NT5CB256M16CP-EK - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-EK - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-EK ✓ نشط
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل NT5CB256M16CP-EK K4B4G1646E-BYMA
العلامة التجارية Nanya Technology Samsung Electronics
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
سعر الوحدة (USD) — $14.32
نوع الذاكرة DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
التنظيم 256M x 16 256M x 16
جهد التغذية 1.35V (1.425V to 1.575V) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
معدل البيانات DDR3-2133 (CL14) 1866 Mbps/pin
CAS Latency (CL) 9, 10, 11, 12, 13, 14 —
WRITE Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Posted CAS Additive Latency Programmable —
Internal Banks 8 (BA0-BA2) —
العلبة 96-ball TFBGA FBGA-96
درجة حرارة التشغيل Commercial: 0C to +95C; Industrial: -40C to +95C; Automotive: -40C to +95C 0°C to +95°C
RoHS Compliant Compliant
REACH Compliant —
Lead-Free Yes —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Clock Frequency — 933 MHz
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
زمن الوصول CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — [DATA_NEEDED: Burst Length]
عدد الدبابيس — 96

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر