NT5CC256M16DP-DI vs K4B4G1646D-BYK00 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ NT5CC256M16DP-DI بواسطة Nanya Technology و K4B4G1646D-BYK00 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | NT5CC256M16DP-DI | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| جهد التغذية | 1.35V | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| معدل البيانات | 1600 Mbps/pin (800MHz) | 1600 Mbps |
| العلبة | VFBGA-96 | 96-ball TFBGA |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40°C to +95°C (industrial) | — |
| زمن الوصول CAS | 11, 12, 13 (programmable) | Programmable |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| الواجهة | Differential clock (CK, CK#) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Number of Terminals | — | 96 |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0°C to 85°C |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |