NT5CC256M16DP-DI vs K4B4G1646D-BYK00 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5CC256M16DP-DI द्वारा Nanya Technology और K4B4G1646D-BYK00 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | NT5CC256M16DP-DI | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35V | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| डेटा दर | 1600 Mbps/pin (800MHz) | 1600 Mbps |
| पैकेज | VFBGA-96 | 96-ball TFBGA |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -40°C to +95°C (industrial) | — |
| CAS लेटेंसी | 11, 12, 13 (programmable) | Programmable |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| इंटरफ़ेस | Differential clock (CK, CK#) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Number of Terminals | — | 96 |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0°C to 85°C |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |