NT5CC256M16DP-DI vs K4B4G1646D-BYK00 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار NT5CC256M16DP-DI توسط Nanya Technology و K4B4G1646D-BYK00 توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | NT5CC256M16DP-DI | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| برند | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ولتاژ تغذیه | 1.35V | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| نرخ داده | 1600 Mbps/pin (800MHz) | 1600 Mbps |
| بسته‌بندی | VFBGA-96 | 96-ball TFBGA |
| محدوده دمای کاری | -40°C to +95°C (industrial) | — |
| تأخیر CAS | 11, 12, 13 (programmable) | Programmable |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| رابط | Differential clock (CK, CK#) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Number of Terminals | — | 96 |
| دمای کاری | — | 0°C to 85°C |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| بدون هالوژن | — | Yes |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |