SS0530_R1_00001 vs SRVBS260NT3G مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ SS0530_R1_00001 بواسطة Panjit و SRVBS260NT3G بواسطة onsemi. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل SS0530_R1_00001 SRVBS260NT3G
العلامة التجارية Panjit onsemi
الفئة Diodes Diodes
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Panjit International Inc. onsemi
Diode Type Schottky Barrier Diode (SBD) —
Configuration Single, 1 Phase, 1 Element —
Reverse Voltage (VRRM) 30 V —
Average Rectified Forward Current (IF(AV)) 500 mA —
Forward Voltage Drop (VF) 430 mV @ 500 mA —
العلبة SOD-123 SMB (surface mount, C-bend leads)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 2 —
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 C to +125 C
Forward Surge Current (IFSM) [DATA_NEEDED: IFSM] —
Reverse Leakage Current (IR) [DATA_NEEDED: IR at rated VR] —
Reverse Recovery Time (trr) [DATA_NEEDED: trr] —
Packaging Tape & Reel —
حالة RoHS Compliant Compliant
Technology Schottky (metal-semiconductor junction) —
Product Type — Schottky Power Rectifier (single diode)
Reverse Test Voltage (VRRM) — 60 V
Maximum Average Forward Current (IF(AV)) — 2 A
Maximum Forward Voltage (VF) — 0.63 V at 2 A
Peak Reflow Temperature — 260 C
Terminal Form — C BEND
Terminal Position — DUAL
Number of Terminals — 2
Package Shape — RECTANGULAR
Terminal Finish — Matte Tin
Diode Technology — Schottky Barrier (epitaxial construction, oxide passivation, metal overlay contact)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر