SS0530_R1_00001 vs SRVBS260NT3G השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של SS0530_R1_00001 מאת Panjit ו SRVBS260NT3G מאת onsemi. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר SS0530_R1_00001 SRVBS260NT3G
מותג Panjit onsemi
קטגוריה Diodes Diodes
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Panjit International Inc. onsemi
Diode Type Schottky Barrier Diode (SBD) —
Configuration Single, 1 Phase, 1 Element —
Reverse Voltage (VRRM) 30 V —
Average Rectified Forward Current (IF(AV)) 500 mA —
Forward Voltage Drop (VF) 430 mV @ 500 mA —
מארז SOD-123 SMB (surface mount, C-bend leads)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 2 —
טווח טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 C to +125 C
Forward Surge Current (IFSM) [DATA_NEEDED: IFSM] —
Reverse Leakage Current (IR) [DATA_NEEDED: IR at rated VR] —
Reverse Recovery Time (trr) [DATA_NEEDED: trr] —
Packaging Tape & Reel —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Technology Schottky (metal-semiconductor junction) —
Product Type — Schottky Power Rectifier (single diode)
Reverse Test Voltage (VRRM) — 60 V
Maximum Average Forward Current (IF(AV)) — 2 A
Maximum Forward Voltage (VF) — 0.63 V at 2 A
Peak Reflow Temperature — 260 C
Terminal Form — C BEND
Terminal Position — DUAL
Number of Terminals — 2
Package Shape — RECTANGULAR
Terminal Finish — Matte Tin
Diode Technology — Schottky Barrier (epitaxial construction, oxide passivation, metal overlay contact)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר