UCC21550BQDWRQ1 vs UCC21550BDWR مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ UCC21550BQDWRQ1 بواسطة Texas Instruments و UCC21550BDWR بواسطة Texas Instruments. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Texas Instruments
UCC21550BDWR UCC21550BDWR - 4A/6A Dual Isolated Gate Driver | Texas Instruments

UCC21550BDWR - 4A/6A Dual Isolated Gate Driver | Texas Instruments

UCC21550BDWR ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل UCC21550BQDWRQ1 UCC21550BDWR
العلامة التجارية Texas Instruments Texas Instruments
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Type Dual-channel reinforced isolated gate driver —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Isolation Type Capacitive coupling Capacitive coupling, reinforced isolation
Isolation Voltage 5000 Vrms 5000 Vrms
Isolation Grade Reinforced isolation —
Number of Channels 2 —
Configuration Two low-side / two high-side / half-bridge —
Dead Time Programmable (external resistor) —
Disable Function Yes Yes
UVLO Threshold 8 V (driver supply) 8 V (VDD UVLO)
Target Transistors Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT —
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified (Q1) —
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
العلبة 16-SOIC (DW) 16-SOIC (DW)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
جهد التغذية التشغيلي [DATA_NEEDED: VCCI / VDD operating range] —
Common-Mode Transient Immunity [DATA_NEEDED: CMTI value] —
تكوين الخرج — Dual-channel (dual low-side, dual high-side, or half-bridge)
CMTI (Common-Mode Transient Immunity) — > 125 V/ns
VDD Output Supply Range — Up to 25 V
Programmable Dead Time — Yes
Junction Temperature Range — -40 C to +150 C
Driven Devices — Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT
حالة RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر