UCC21550BQDWRQ1 vs UCC21550BDWR موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از UCC21550BQDWRQ1 بذریعہ Texas Instruments اور UCC21550BDWR بذریعہ Texas Instruments. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Texas Instruments
UCC21550BDWR UCC21550BDWR - 4A/6A Dual Isolated Gate Driver | Texas Instruments

UCC21550BDWR - 4A/6A Dual Isolated Gate Driver | Texas Instruments

UCC21550BDWR ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر UCC21550BQDWRQ1 UCC21550BDWR
برانڈ Texas Instruments Texas Instruments
زمرہ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Driver Type Dual-channel reinforced isolated gate driver —
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Isolation Type Capacitive coupling Capacitive coupling, reinforced isolation
Isolation Voltage 5000 Vrms 5000 Vrms
Isolation Grade Reinforced isolation —
Number of Channels 2 —
Configuration Two low-side / two high-side / half-bridge —
Dead Time Programmable (external resistor) —
Disable Function Yes Yes
UVLO Threshold 8 V (driver supply) 8 V (VDD UVLO)
Target Transistors Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT —
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified (Q1) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
پیکیج 16-SOIC (DW) 16-SOIC (DW)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ سپلائی وولٹیج [DATA_NEEDED: VCCI / VDD operating range] —
Common-Mode Transient Immunity [DATA_NEEDED: CMTI value] —
آؤٹ پٹ کنفیگریشن — Dual-channel (dual low-side, dual high-side, or half-bridge)
CMTI (Common-Mode Transient Immunity) — > 125 V/ns
VDD Output Supply Range — Up to 25 V
Programmable Dead Time — Yes
Junction Temperature Range — -40 C to +150 C
Driven Devices — Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT
RoHS اسٹیٹس — [DATA_NEEDED: RoHS status]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں