1N5711UR-1 vs 1N5711 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা 1N5711UR-1 নির্দিষ্ট Microchip Technology ও 1N5711 নির্দিষ্ট STMicroelectronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Microchip Technology
1N5711UR-1 1N5711UR-1 - 50V 33mA Schottky Barrier Diode | Microchip

1N5711UR-1 - 50V 33mA Schottky Barrier Diode | Microchip

1N5711UR-1 ✓ সক্রিয়
STMicroelectronics
1N5711 1N5711 - 70V 15mA Schottky RF Diode DO-35 | STMicroelectronics

1N5711 - 70V 15mA Schottky RF Diode DO-35 | STMicroelectronics

1N5711 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার 1N5711UR-1 1N5711
ব্র্যান্ড Microchip Technology STMicroelectronics
ক্যাটাগরি Diodes Diodes
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Diode Type Schottky barrier diode Small-signal Schottky barrier (RF) diode
Reverse Voltage (Vr) 50 V —
Average Forward Current 33 mA —
Configuration Single diode —
প্যাকেজ DO-213AA (MELF / SOD-80 / LL34), hermetically sealed glass DO-35 (DO-204AH) hermetic axial-lead glass
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Through-Hole
Construction Metallurgically bonded —
Qualification Grade Military grade (1N prefix, high reliability) —
Terminal Finish Tin/lead plated or RoHS-compliant matte tin over copper-clad steel (commercial grade) —
Solderability MIL-STD-750 method 2026 —
Family Members 1N5711UR-1, 1N5712UR-1, 1N6857UR-1, 1N6858UR-1, CDLL equivalents —
অপারেটিং তাপমাত্রা [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Forward Voltage (Vf) [DATA_NEEDED: forward voltage at rated current] —
Reverse Current (Ir) [DATA_NEEDED: reverse leakage current] —
Junction Capacitance [DATA_NEEDED: junction capacitance] —
RoHS স্ট্যাটাস [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Compliant
Peak Reverse Voltage (VRRM) — 70 V
Continuous Forward Current (IF) — 15 mA
Power Dissipation — 430 mW
Forward Voltage (VF) — 0.41 V (at 1 mA, per MACOM)
Total Capacitance — 2 pF
Junction Capacitance (Cj) — 1 pF
Dynamic Resistance — 35 ohm
Breakdown Voltage (VB) — 70 V
Switching Speed — Picosecond class (ultrafast, no minority-carrier storage)
Junction Structure — Metal-to-silicon junction with PN guard ring
Reverse Leakage Current — [DATA_NEEDED: reverse leakage current at rated VR]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট