1N5711UR-1 vs 1N5711 So sánh
So sánh chi tiết song song của 1N5711UR-1 bằng Microchip Technology và 1N5711 bằng STMicroelectronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Microchip Technology
1N5711UR-1 - 50V 33mA Schottky Barrier Diode | Microchip
1N5711UR-1 ✓ Hoạt độngSTMicroelectronics
1N5711 - 70V 15mA Schottky RF Diode DO-35 | STMicroelectronics
1N5711 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | 1N5711UR-1 | 1N5711 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Microchip Technology | STMicroelectronics |
| Danh mục | Diodes | Diodes |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Diode Type | Schottky barrier diode | Small-signal Schottky barrier (RF) diode |
| Reverse Voltage (Vr) | 50 V | — |
| Average Forward Current | 33 mA | — |
| Configuration | Single diode | — |
| Hộp | DO-213AA (MELF / SOD-80 / LL34), hermetically sealed glass | DO-35 (DO-204AH) hermetic axial-lead glass |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Through-Hole |
| Construction | Metallurgically bonded | — |
| Qualification Grade | Military grade (1N prefix, high reliability) | — |
| Terminal Finish | Tin/lead plated or RoHS-compliant matte tin over copper-clad steel (commercial grade) | — |
| Solderability | MIL-STD-750 method 2026 | — |
| Family Members | 1N5711UR-1, 1N5712UR-1, 1N6857UR-1, 1N6858UR-1, CDLL equivalents | — |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Forward Voltage (Vf) | [DATA_NEEDED: forward voltage at rated current] | — |
| Reverse Current (Ir) | [DATA_NEEDED: reverse leakage current] | — |
| Junction Capacitance | [DATA_NEEDED: junction capacitance] | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | Compliant |
| Peak Reverse Voltage (VRRM) | — | 70 V |
| Continuous Forward Current (IF) | — | 15 mA |
| Power Dissipation | — | 430 mW |
| Forward Voltage (VF) | — | 0.41 V (at 1 mA, per MACOM) |
| Total Capacitance | — | 2 pF |
| Junction Capacitance (Cj) | — | 1 pF |
| Dynamic Resistance | — | 35 ohm |
| Breakdown Voltage (VB) | — | 70 V |
| Switching Speed | — | Picosecond class (ultrafast, no minority-carrier storage) |
| Junction Structure | — | Metal-to-silicon junction with PN guard ring |
| Reverse Leakage Current | — | [DATA_NEEDED: reverse leakage current at rated VR] |