AS4C512M16D4A-62BIN vs H5AN8G6NDJR-XNC তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা AS4C512M16D4A-62BIN নির্দিষ্ট Alliance Memory ও H5AN8G6NDJR-XNC নির্দিষ্ট SK hynix. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN ✓ সক্রিয়
SK hynix
H5AN8G6NDJR-XNC H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC - 8Gb DDR4-3200 x16 DRAM | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-XNC ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার AS4C512M16D4A-62BIN H5AN8G6NDJR-XNC
ব্র্যান্ড Alliance Memory SK hynix
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
ইউনিট মূল্য (USD) — $55.68
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
মেমরি সাইজ 8 Gbit 8 Gb
সংগঠন 512M x 16 —
Clock Rate 1600 MHz —
ডেটা রেট 3200 Mbps per pin 3200 Mbps
সাপ্লাই ভোল্টেজ 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) —
অপারেটিং তাপমাত্রা -40°C to +95°C —
প্যাকেজ 96-FBGA (7.5x13mm) FBGA-96 (13x7.5 mm)
ইন্টারফেস POD (Pseudo Open Drain) —
CAS লেটেন্সি Programmable (e.g., 22 cycles) —
Burst Length 8 (with burst chop 4) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
RoHS Compliant Compliant
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount —
Lead Free Yes —
Memory Organization — 512M x16
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (max 1.26 V)
Number of Terminals — 96
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Input/Output Type — COMMON
Lead-Free — Yes
হ্যালোজেন মুক্ত — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Data Mask — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Asynchronous Reset — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট