BC817-40-RF vs BC817-40 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BC817-40-RF নির্দিষ্ট Taiwan Semiconductor ও BC817-40 নির্দিষ্ট Nexperia. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Taiwan Semiconductor
BC817-40-RF - 45V 0.5A NPN BJT SOT-23 | Taiwan Semiconductor
BC817-40-RF ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BC817-40-RF | BC817-40 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Taiwan Semiconductor | Nexperia |
| ক্যাটাগরি | Transistors | Transistors |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) | NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) |
| প্যাকেজ | SOT-23 (TO-236), 3 pins | SOT-23 (TO-236AB), 3 pins |
| কালেক্টর-এমিটার ভোল্টেজ (Vceo) | 45 V | 45 V |
| কালেক্টর-বেস ভোল্টেজ (Vcbo) | 50 V | 50 V |
| এমিটার-বেস ভোল্টেজ (Vebo) | 5 V | 5 V |
| Continuous Collector Current (IC) | 0.5 A | 500 mA |
| Peak Collector Current (ICM) | [DATA_NEEDED: peak pulsed collector current rating] | [DATA_NEEDED: ICM value] |
| DC Current Gain (hFE) Bin | 250 to 600 (BC817-40 gain bin) | — |
| ট্রানজিশন ফ্রিকোয়েন্সি (ft) | 100 MHz | 100 MHz |
| Power Dissipation (Pd) | 310 mW | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55 C to +150 C | -65 C to +150 C |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL লেভেল | 1 (unlimited) | 1 |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (per manufacturer product page) | Compliant |
| Lead-Free | Yes (per Taiwan Semiconductor product page) | — |
| PNP Complement | BC807 series | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 310 mW |
| DC Current Gain (hFE) - -40 bin | — | 250 to 600 (at 100 mA, 1 V) |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) | — | 700 mV max (at 500 mA, 50 mA base) |
| Base-Emitter Voltage (VBE) | — | [DATA_NEEDED: VBE typical] |
| Complementary PNP Part | — | BC807-40 |