BC817-40-RF vs BC817-40 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BC817-40-RF מאת Taiwan Semiconductor ו BC817-40 מאת Nexperia. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Taiwan Semiconductor
BC817-40-RF BC817-40-RF - 45V 0.5A NPN BJT SOT-23 | Taiwan Semiconductor

BC817-40-RF - 45V 0.5A NPN BJT SOT-23 | Taiwan Semiconductor

BC817-40-RF ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BC817-40-RF BC817-40
מותג Taiwan Semiconductor Nexperia
קטגוריה Transistors Transistors
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג טרנזיסטור NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
מארז SOT-23 (TO-236), 3 pins SOT-23 (TO-236AB), 3 pins
מתח אספן-פולט (Vceo) 45 V 45 V
מתח קולט-בסיס (Vcbo) 50 V 50 V
מתח פולט-בסיס (Vebo) 5 V 5 V
Continuous Collector Current (IC) 0.5 A 500 mA
Peak Collector Current (ICM) [DATA_NEEDED: peak pulsed collector current rating] [DATA_NEEDED: ICM value]
DC Current Gain (hFE) Bin 250 to 600 (BC817-40 gain bin) —
תדר מעבר (ft) 100 MHz 100 MHz
Power Dissipation (Pd) 310 mW —
טמפרטורת צומת פעולה -55 C to +150 C -65 C to +150 C
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL 1 (unlimited) 1
סטטוס RoHS Compliant (per manufacturer product page) Compliant
Lead-Free Yes (per Taiwan Semiconductor product page) —
PNP Complement BC807 series —
Total Power Dissipation (Ptot) — 310 mW
DC Current Gain (hFE) - -40 bin — 250 to 600 (at 100 mA, 1 V)
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) — 700 mV max (at 500 mA, 50 mA base)
Base-Emitter Voltage (VBE) — [DATA_NEEDED: VBE typical]
Complementary PNP Part — BC807-40

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר