BC817-40-RF vs BC817-40 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BC817-40-RF بذریعہ Taiwan Semiconductor اور BC817-40 بذریعہ Nexperia. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Taiwan Semiconductor
BC817-40-RF BC817-40-RF - 45V 0.5A NPN BJT SOT-23 | Taiwan Semiconductor

BC817-40-RF - 45V 0.5A NPN BJT SOT-23 | Taiwan Semiconductor

BC817-40-RF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BC817-40-RF BC817-40
برانڈ Taiwan Semiconductor Nexperia
زمرہ Transistors Transistors
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
پیکیج SOT-23 (TO-236), 3 pins SOT-23 (TO-236AB), 3 pins
کلیکٹر-ایمیٹر وولٹیج (Vceo) 45 V 45 V
کلیکٹر-بیس وولٹیج (Vcbo) 50 V 50 V
ایمیٹر-بیس وولٹیج (Vebo) 5 V 5 V
Continuous Collector Current (IC) 0.5 A 500 mA
Peak Collector Current (ICM) [DATA_NEEDED: peak pulsed collector current rating] [DATA_NEEDED: ICM value]
DC Current Gain (hFE) Bin 250 to 600 (BC817-40 gain bin) —
ٹرانزیشن فریکوئنسی (ft) 100 MHz 100 MHz
Power Dissipation (Pd) 310 mW —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +150 C -65 C to +150 C
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (unlimited) 1
RoHS اسٹیٹس Compliant (per manufacturer product page) Compliant
Lead-Free Yes (per Taiwan Semiconductor product page) —
PNP Complement BC807 series —
Total Power Dissipation (Ptot) — 310 mW
DC Current Gain (hFE) - -40 bin — 250 to 600 (at 100 mA, 1 V)
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) — 700 mV max (at 500 mA, 50 mA base)
Base-Emitter Voltage (VBE) — [DATA_NEEDED: VBE typical]
Complementary PNP Part — BC807-40

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں