BC817-40-RF vs BC817-40 So sánh

So sánh chi tiết song song của BC817-40-RF bằng Taiwan Semiconductor và BC817-40 bằng Nexperia. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Taiwan Semiconductor
BC817-40-RF BC817-40-RF - 45V 0.5A NPN BJT SOT-23 | Taiwan Semiconductor

BC817-40-RF - 45V 0.5A NPN BJT SOT-23 | Taiwan Semiconductor

BC817-40-RF ✓ Hoạt động
Nexperia
BC817-40 BC817-40 - 45V 500mA NPN Transistor SOT-23 | Nexperia

BC817-40 - 45V 500mA NPN Transistor SOT-23 | Nexperia

BC817-40 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BC817-40-RF BC817-40
Thương hiệu Taiwan Semiconductor Nexperia
Danh mục Transistors Transistors
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu transitor NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
Hộp SOT-23 (TO-236), 3 pins SOT-23 (TO-236AB), 3 pins
N Nap-Emit (Vceo) 45 V 45 V
N Nap (Vcbo) 50 V 50 V
N Nap-cơ sở (Vebo) 5 V 5 V
Continuous Collector Current (IC) 0.5 A 500 mA
Peak Collector Current (ICM) [DATA_NEEDED: peak pulsed collector current rating] [DATA_NEEDED: ICM value]
DC Current Gain (hFE) Bin 250 to 600 (BC817-40 gain bin) —
Tần số chuyển đổi (ft) 100 MHz 100 MHz
Power Dissipation (Pd) 310 mW —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55 C to +150 C -65 C to +150 C
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Cấp MSL 1 (unlimited) 1
Trạng thái RoHS Compliant (per manufacturer product page) Compliant
Lead-Free Yes (per Taiwan Semiconductor product page) —
PNP Complement BC807 series —
Total Power Dissipation (Ptot) — 310 mW
DC Current Gain (hFE) - -40 bin — 250 to 600 (at 100 mA, 1 V)
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) — 700 mV max (at 500 mA, 50 mA base)
Base-Emitter Voltage (VBE) — [DATA_NEEDED: VBE typical]
Complementary PNP Part — BC807-40

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá