BSC027N10NS5ATMA1 vs BSC118N10NSGATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC027N10NS5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC118N10NSGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC118N10NSGATMA1 BSC118N10NSGATMA1 - 100V 71A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC118N10NSGATMA1 - 100V 71A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC118N10NSGATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC027N10NS5ATMA1 BSC118N10NSGATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস NRND সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC027N10NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (100V) Trench MOSFET
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 23 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 194 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.7 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 214 W —
প্যাকেজ PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5x6 mm)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Qualification Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) —
Product Family — OptiMOS 2
FET Type — N-Channel
Mode — Enhancement (Normal Level)
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 11 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 71 A
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 114 W
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55 C to +150 C
Lead Plating — Pb-free
হ্যালোজেন মুক্ত — Yes
JEDEC Qualification — Qualified per target application
Target Application — High-frequency SMPS, synchronous rectification
Gate Charge x RDS(on) FOM — Excellent (per datasheet)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট