BSC027N10NS5ATMA1 vs BSC118N10NSGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC027N10NS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC118N10NSGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC027N10NS5ATMA1 BSC118N10NSGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت NRND فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC027N10NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (100V) Trench MOSFET
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 23 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 194 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.7 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 214 W —
پیکیج PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: Tj min/max] —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Qualification Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) —
Product Family — OptiMOS 2
FET Type — N-Channel
Mode — Enhancement (Normal Level)
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 11 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 71 A
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 114 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +150 C
Lead Plating — Pb-free
ہیلوجن فری — Yes
JEDEC Qualification — Qualified per target application
Target Application — High-frequency SMPS, synchronous rectification
Gate Charge x RDS(on) FOM — Excellent (per datasheet)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں