BSC047N08NS3GATMA1 vs BSC022N04LS6ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC047N08NS3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC022N04LS6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 - 80V 100A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC047N08NS3GATMA1 - 80V 100A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC047N08NS3GATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC022N04LS6ATMA1 BSC022N04LS6ATMA1 - 40V 2.2mOhm OptiMOS 6 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC022N04LS6ATMA1 - 40V 2.2mOhm OptiMOS 6 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC022N04LS6ATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC047N08NS3GATMA1 BSC022N04LS6ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC047N08NS3GATMA1 —
Technology OptiMOS™ 3 (N-channel trench) OptiMOS™ 6 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta 18 A 27 A
On-Resistance RDS(on) max 4.7 mOhm at VGS=10 V 2.2 mOhm at VGS=10 V
Power Dissition (Tc) 125 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 3 W
Gate Threshold Voltage (VGS th) Normal level (typ 1.7 V) —
Avalanche Rated 100% tested —
প্যাকেজ PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 °C to +175 °C (Tj) —
RoHS / Halogen-Free RoHS compliant, Halogen-free —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Maximum Pulsed Drain Current (IDM) — 139 A
Power Dissipation (Tc) — 79 W
Channel Type — N-Channel
পিন সংখ্যা — 8
অপারেটিং তাপমাত্রা — -55 C to +175 C (junction)
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট