BSC047N08NS3GATMA1 vs BSC022N04LS6ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC047N08NS3GATMA1 द्वारा Infineon और BSC022N04LS6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
BSC022N04LS6ATMA1 - 40V 2.2mOhm OptiMOS 6 N-Ch MOSFET | Infineon
BSC022N04LS6ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC047N08NS3GATMA1 | BSC022N04LS6ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC047N08NS3GATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS™ 3 (N-channel trench) | OptiMOS™ 6 (N-channel trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 18 A | 27 A |
| On-Resistance RDS(on) max | 4.7 mOhm at VGS=10 V | 2.2 mOhm at VGS=10 V |
| Power Dissition (Tc) | 125 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 3 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS th) | Normal level (typ 1.7 V) | — |
| Avalanche Rated | 100% tested | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C (Tj) | — |
| RoHS / Halogen-Free | RoHS compliant, Halogen-free | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Maximum Pulsed Drain Current (IDM) | — | 139 A |
| Power Dissipation (Tc) | — | 79 W |
| Channel Type | — | N-Channel |
| पिन काउंट | — | 8 |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -55 C to +175 C (junction) |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |