BSC047N08NS3GATMA1 vs BSC022N04LS6ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC047N08NS3GATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC022N04LS6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 - 80V 100A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC047N08NS3GATMA1 - 80V 100A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC047N08NS3GATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC047N08NS3GATMA1 BSC022N04LS6ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC047N08NS3GATMA1 —
Technology OptiMOS™ 3 (N-channel trench) OptiMOS™ 6 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta 18 A 27 A
On-Resistance RDS(on) max 4.7 mOhm at VGS=10 V 2.2 mOhm at VGS=10 V
Power Dissition (Tc) 125 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 3 W
Gate Threshold Voltage (VGS th) Normal level (typ 1.7 V) —
Avalanche Rated 100% tested —
پیکیج PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C (Tj) —
RoHS / Halogen-Free RoHS compliant, Halogen-free —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Maximum Pulsed Drain Current (IDM) — 139 A
Power Dissipation (Tc) — 79 W
Channel Type — N-Channel
پن کی تعداد — 8
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55 C to +175 C (junction)
RoHS اسٹیٹس — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں