BSC047N08NS3GATMA1 vs BSC022N04LS6ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC047N08NS3GATMA1 توسط Infineon و BSC022N04LS6ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC047N08NS3GATMA1 | BSC022N04LS6ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC047N08NS3GATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS™ 3 (N-channel trench) | OptiMOS™ 6 (N-channel trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 18 A | 27 A |
| On-Resistance RDS(on) max | 4.7 mOhm at VGS=10 V | 2.2 mOhm at VGS=10 V |
| Power Dissition (Tc) | 125 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 3 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS th) | Normal level (typ 1.7 V) | — |
| Avalanche Rated | 100% tested | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| محدوده دمای کاری | -55 °C to +175 °C (Tj) | — |
| RoHS / Halogen-Free | RoHS compliant, Halogen-free | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Maximum Pulsed Drain Current (IDM) | — | 139 A |
| Power Dissipation (Tc) | — | 79 W |
| Channel Type | — | N-Channel |
| تعداد پایه | — | 8 |
| دمای کاری | — | -55 C to +175 C (junction) |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |