BSC097N06NSATMA1 vs BSC016N06NSTATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC097N06NSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC016N06NSTATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSC097N06NSATMA1 | BSC016N06NSTATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | OptiMOS |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 46 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM peak value] | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 9.7 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Gate Charge (Qg typ) | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| Power Dissipation at Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc=25C | 36 W | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55C to +150C | — |
| প্যাকেজ / কেস | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench) | OptiMOS 5 |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| MSL লেভেল | 1 (Unlimited) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Avalanche Rated | Yes (EAS per datasheet) | — |
| Part Number | — | BSC016N06NSTATMA1 |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | — | 31 A |
| On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) | — | 1.6 mOhm |
| Power Dissipation (Tc) | — | 167 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3 W |
| প্যাকেজ | — | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55 C to +150 C |
| Lead-Free | — | Yes |