BSC097N06NSATMA1 vs BSC016N06NSTATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC097N06NSATMA1 tarafından Infineon ve BSC016N06NSTATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC097N06NSATMA1 BSC016N06NSTATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 OptiMOS
Part Status Active —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 46 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM peak value] —
RDS(on) max at VGS=10 V 9.7 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 36 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C —
Paket / Kas PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 (Trench) OptiMOS 5
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (Unlimited) [DATA_NEEDED: MSL level]
Avalanche Rated Yes (EAS per datasheet) —
Part Number — BSC016N06NSTATMA1
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 31 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) — 1.6 mOhm
Power Dissipation (Tc) — 167 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Paket — PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin