BSC0993NDATMA1 vs BSC360N15NS3GATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC0993NDATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC360N15NS3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC0993NDATMA1 BSC0993NDATMA1 - 30V 17A Dual N-Ch OptiMOS 5 Array | Infineon

BSC0993NDATMA1 - 30V 17A Dual N-Ch OptiMOS 5 Array | Infineon

BSC0993NDATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC360N15NS3GATMA1 BSC360N15NS3GATMA1 - 150V 36mOhm N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC360N15NS3GATMA1 - 150V 36mOhm N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC360N15NS3GATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC0993NDATMA1 BSC360N15NS3GATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 5 30V —
Configuration Dual N-Channel (Array) —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Ta 17 A —
প্যাকেজ PG-TISON-8 PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET)
Channel Mode Enhancement —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +150C (junction) -55°C to +150°C (junction)
ESD Protection Yes (integrated) —
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL level] 1
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Rds(on) max @ Vgs=10V [DATA_NEEDED: Rds(on) value] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Part Number — BSC360N15NS3GATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 36 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 74 W
Gate Threshold Voltage (VGS th) typ — 3.0 V
Total Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
Avalanche Energy Rated — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট