BSC0993NDATMA1 vs BSC360N15NS3GATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC0993NDATMA1 tarafından Infineon ve BSC360N15NS3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
BSC360N15NS3GATMA1 - 150V 36mOhm N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon
BSC360N15NS3GATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC0993NDATMA1 | BSC360N15NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS 5 30V | — |
| Configuration | Dual N-Channel (Array) | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Ta | 17 A | — |
| Paket | PG-TISON-8 | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C (junction) | -55°C to +150°C (junction) |
| ESD Protection | Yes (integrated) | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Rds(on) max @ Vgs=10V | [DATA_NEEDED: Rds(on) value] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Part Number | — | BSC360N15NS3GATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 33 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 36 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 74 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS th) typ | — | 3.0 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |