BSC0993NDATMA1 vs BSC360N15NS3GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC0993NDATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC360N15NS3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC0993NDATMA1 BSC360N15NS3GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 5 30V —
Configuration Dual N-Channel (Array) —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Ta 17 A —
پیکیج PG-TISON-8 PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET)
Channel Mode Enhancement —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction) -55°C to +150°C (junction)
ESD Protection Yes (integrated) —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] 1
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Rds(on) max @ Vgs=10V [DATA_NEEDED: Rds(on) value] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Part Number — BSC360N15NS3GATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 36 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 74 W
Gate Threshold Voltage (VGS th) typ — 3.0 V
Total Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
Avalanche Energy Rated — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں