BSC0993NDATMA1 vs BSC360N15NS3GATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC0993NDATMA1 bằng Infineon và BSC360N15NS3GATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSC360N15NS3GATMA1 - 150V 36mOhm N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon
BSC360N15NS3GATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC0993NDATMA1 | BSC360N15NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS 5 30V | — |
| Configuration | Dual N-Channel (Array) | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Ta | 17 A | — |
| Hộp | PG-TISON-8 | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET) |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C (junction) | -55°C to +150°C (junction) |
| ESD Protection | Yes (integrated) | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Rds(on) max @ Vgs=10V | [DATA_NEEDED: Rds(on) value] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Part Number | — | BSC360N15NS3GATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 33 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 36 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 74 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS th) typ | — | 3.0 V |
| Total Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |