BSC118N10NSGATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC118N10NSGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC027N10NS5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC118N10NSGATMA1 BSC118N10NSGATMA1 - 100V 71A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC118N10NSGATMA1 - 100V 71A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC118N10NSGATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC118N10NSGATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় NRND
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 2 —
FET Type N-Channel —
Mode Enhancement (Normal Level) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 11 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 71 A —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 114 W —
প্যাকেজ PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5x6 mm) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55 C to +150 C —
Technology Trench MOSFET OptiMOS 5 (100V)
Lead Plating Pb-free —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
হ্যালোজেন মুক্ত Yes —
JEDEC Qualification Qualified per target application —
Target Application High-frequency SMPS, synchronous rectification —
Gate Charge x RDS(on) FOM Excellent (per datasheet) —
Part Number — BSC027N10NS5ATMA1
Channel Type — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 194 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 214 W
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — [DATA_NEEDED: Tj min/max]
MSL লেভেল — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Qualification — Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট