BSC118N10NSGATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSC118N10NSGATMA1 bằng Infineon và BSC027N10NS5ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSC118N10NSGATMA1 BSC118N10NSGATMA1 - 100V 71A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC118N10NSGATMA1 - 100V 71A N-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSC118N10NSGATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSC118N10NSGATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động NRND
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 2 —
FET Type N-Channel —
Mode Enhancement (Normal Level) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 11 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 71 A —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 114 W —
Hộp PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5x6 mm) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55 C to +150 C —
Technology Trench MOSFET OptiMOS 5 (100V)
Lead Plating Pb-free —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Đông trùng haogen Yes —
JEDEC Qualification Qualified per target application —
Target Application High-frequency SMPS, synchronous rectification —
Gate Charge x RDS(on) FOM Excellent (per datasheet) —
Part Number — BSC027N10NS5ATMA1
Channel Type — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 194 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 214 W
Khoảng nhiệt độ hoạt động — [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Cấp MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Qualification — Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá