BSC118N10NSGATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC118N10NSGATMA1 tarafından Infineon ve BSC027N10NS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC118N10NSGATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif NRND
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 2 —
FET Type N-Channel —
Mode Enhancement (Normal Level) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 11 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 71 A —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 114 W —
Paket PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5x6 mm) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +150 C —
Technology Trench MOSFET OptiMOS 5 (100V)
Lead Plating Pb-free —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Klorürsüz Yes —
JEDEC Qualification Qualified per target application —
Target Application High-frequency SMPS, synchronous rectification —
Gate Charge x RDS(on) FOM Excellent (per datasheet) —
Part Number — BSC027N10NS5ATMA1
Channel Type — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 194 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 214 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: Tj min/max]
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Qualification — Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin