BSC12DN20NS3GATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC12DN20NS3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও ISC151N08NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 - 200V 11.3A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSC12DN20NS3GATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 200V | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 11.3 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 50 W | — |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8-5 | PG-TDSON-8 FL |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold typical] | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Technology | OptiMOS power MOSFET | OptiMOS 6 |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| MSL লেভেল | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Configuration | Single N-channel | — |
| পিন সংখ্যা | 8 | — |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| কন্টিনিউয়াস ড্রেইন কারেন্ট (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| পিনের সংখ্যা | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | -55 °C to +175 °C |