BSC12DN20NS3GATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC12DN20NS3GATMA1 توسط Infineon و ISC151N08NM6ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 - 200V 11.3A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
BSC12DN20NS3GATMA1 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC12DN20NS3GATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 200V | — |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 11.3 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 50 W | — |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-5 | PG-TDSON-8 FL |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| محدوده دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold typical] | — |
| On-Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Technology | OptiMOS power MOSFET | OptiMOS 6 |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| سطح MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Configuration | Single N-channel | — |
| تعداد پایه | 8 | — |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| جریان پیوسته درین (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| تعداد پین‌ها | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| دمای کاری | — | -55 °C to +175 °C |