BSP125H6327XTSA1 vs BSR316PH6327XTSA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSP125H6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSR316PH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSP125H6327XTSA1 | BSR316PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSP125H6327XTSA1 | BSR316PH6327XTSA1 |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | SIPMOS (Small Signal Power MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 120 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W (Ta) | — |
| প্যাকেজ | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab) | PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-23 equivalent) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -55C to +150C (TJ) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Configuration | Single | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| MSL লেভেল | 1 (Unlimited) | 1 |
| Qualification | Automotive / Industrial grade | Automotive |
| Series | — | OptiMOS |
| FET Type | — | P-Channel Enhancement Mode |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | -360 mA |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | [DATA_NEEDED: ID at TC specific value] |
| On-State Resistance RDS(on) max | — | 1800 mOhm at VGS = -10 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | -1.7 V typical, -2.5 V max |
| Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Power Dissipation (Tc) | — | 500 mW |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55 C to +150 C (junction) |
| Polarity | — | P-Channel |