BSP125H6327XTSA1 vs BSR316PH6327XTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSP125H6327XTSA1 द्वारा Infineon और BSR316PH6327XTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSP125H6327XTSA1 | BSR316PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSP125H6327XTSA1 | BSR316PH6327XTSA1 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | SIPMOS (Small Signal Power MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 120 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W (Ta) | — |
| पैकेज | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 + tab) | PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-23 equivalent) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55C to +150C (TJ) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Configuration | Single | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 (Unlimited) | 1 |
| Qualification | Automotive / Industrial grade | Automotive |
| Series | — | OptiMOS |
| FET Type | — | P-Channel Enhancement Mode |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | -360 mA |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | [DATA_NEEDED: ID at TC specific value] |
| On-State Resistance RDS(on) max | — | 1800 mOhm at VGS = -10 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | -1.7 V typical, -2.5 V max |
| Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Power Dissipation (Tc) | — | 500 mW |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 C to +150 C (junction) |
| Polarity | — | P-Channel |