BSS83PH6327XTSA1 vs 2N7002H6327XTSA2 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSS83PH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও 2N7002H6327XTSA2 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSS83PH6327XTSA1 | 2N7002H6327XTSA2 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | P-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor) | OptiMOS (Planar) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 330 mA | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 1.3 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V | 2.0 ohm (max) | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | -1 V to -2.5 V (typ) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 360 mW | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55 C to +150 C | — |
| প্যাকেজ | PG-SOT23 (SOT-23-3) | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive grade per Infineon | Industrial / Commercial Grade |
| Process Technology | SIPMOS / OptiMOS | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 300 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 3 ohm max @ VGS = 10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55C to +150C (Tj) |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| MSL লেভেল | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free | — | Yes |