BSS83PH6327XTSA1 vs 2N7002H6327XTSA2 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSS83PH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور 2N7002H6327XTSA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSS83PH6327XTSA1 | 2N7002H6327XTSA2 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | P-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor) | OptiMOS (Planar) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 330 mA | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 1.3 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V | 2.0 ohm (max) | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | -1 V to -2.5 V (typ) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 360 mW | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 C to +150 C | — |
| پیکیج | PG-SOT23 (SOT-23-3) | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive grade per Infineon | Industrial / Commercial Grade |
| Process Technology | SIPMOS / OptiMOS | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 300 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 3 ohm max @ VGS = 10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +150C (Tj) |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| MSL لیول | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free | — | Yes |