BSS84PH6327XTSA2 vs BSS83PH6327XTSA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSS84PH6327XTSA2 নির্দিষ্ট Infineon ও BSS83PH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6327XTSA2 - -60V P-Ch MOSFET 170mA SOT-23 | Infineon

BSS84PH6327XTSA2 - -60V P-Ch MOSFET 170mA SOT-23 | Infineon

BSS84PH6327XTSA2 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 - 60V P-Channel MOSFET 330mA | Infineon

BSS83PH6327XTSA1 - 60V P-Channel MOSFET 330mA | Infineon

BSS83PH6327XTSA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSS84PH6327XTSA2 BSS83PH6327XTSA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS84PH6327XTSA2 —
FET Type P-Channel P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) -170 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 360 mW (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 8 ohm at VGS = -10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
প্যাকেজ PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT23 (SOT-23-3)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রা -55C to +150C —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) Automotive grade per Infineon
Technology Family SIPMOS OptiMOS —
Polarity P-Channel Enhancement Mode —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Technology — MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor)
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 330 mA
Pulsed Drain Current (IDM) — 1.3 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V — 2.0 ohm (max)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — -1 V to -2.5 V (typ)
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 360 mW
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55 C to +150 C
Process Technology — SIPMOS / OptiMOS

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট