BSS84PH6327XTSA2 vs BSS83PH6327XTSA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSS84PH6327XTSA2 bằng Infineon và BSS83PH6327XTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSS84PH6327XTSA2 | BSS83PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSS84PH6327XTSA2 | — |
| FET Type | P-Channel | P-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | -170 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 360 mW (Ta) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 8 ohm at VGS = -10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | +/-20 V | — |
| Hộp | PG-SOT23 (SOT-23-3) | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ hoạt động | -55C to +150C | — |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | Automotive grade per Infineon |
| Technology Family | SIPMOS OptiMOS | — |
| Polarity | P-Channel Enhancement Mode | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Technology | — | MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 330 mA |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 1.3 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V | — | 2.0 ohm (max) |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -1 V to -2.5 V (typ) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 360 mW |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55 C to +150 C |
| Process Technology | — | SIPMOS / OptiMOS |