BSS84PH6327XTSA2 vs BSS83PH6327XTSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS84PH6327XTSA2 tarafından Infineon ve BSS83PH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSS84PH6327XTSA2 | BSS83PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSS84PH6327XTSA2 | — |
| FET Type | P-Channel | P-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | -170 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 360 mW (Ta) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 8 ohm at VGS = -10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | +/-20 V | — |
| Paket | PG-SOT23 (SOT-23-3) | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | -55C to +150C | — |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | Automotive grade per Infineon |
| Technology Family | SIPMOS OptiMOS | — |
| Polarity | P-Channel Enhancement Mode | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Technology | — | MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 330 mA |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 1.3 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V | — | 2.0 ohm (max) |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -1 V to -2.5 V (typ) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 360 mW |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 C to +150 C |
| Process Technology | — | SIPMOS / OptiMOS |