BSS84PH6327XTSA2 vs BSS83PH6327XTSA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSS84PH6327XTSA2 توسط Infineon و BSS83PH6327XTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSS84PH6327XTSA2 | BSS83PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSS84PH6327XTSA2 | — |
| FET Type | P-Channel | P-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | -170 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 360 mW (Ta) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 8 ohm at VGS = -10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | +/-20 V | — |
| بسته‌بندی | PG-SOT23 (SOT-23-3) | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | -55C to +150C | — |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | Automotive grade per Infineon |
| Technology Family | SIPMOS OptiMOS | — |
| Polarity | P-Channel Enhancement Mode | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Technology | — | MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 330 mA |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 1.3 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V | — | 2.0 ohm (max) |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -1 V to -2.5 V (typ) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 360 mW |
| دمای اتصال کاری | — | -55 C to +150 C |
| Process Technology | — | SIPMOS / OptiMOS |