BSS84PH6327XTSA2 vs BSS83PH6327XTSA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSS84PH6327XTSA2 بذریعہ Infineon اور BSS83PH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSS84PH6327XTSA2 | BSS83PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSS84PH6327XTSA2 | — |
| FET Type | P-Channel | P-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | -170 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 360 mW (Ta) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 8 ohm at VGS = -10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | +/-20 V | — |
| پیکیج | PG-SOT23 (SOT-23-3) | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55C to +150C | — |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | Automotive grade per Infineon |
| Technology Family | SIPMOS OptiMOS | — |
| Polarity | P-Channel Enhancement Mode | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Technology | — | MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 330 mA |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 1.3 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V | — | 2.0 ohm (max) |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -1 V to -2.5 V (typ) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 360 mW |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 C to +150 C |
| Process Technology | — | SIPMOS / OptiMOS |