BSZ036NE2LSATMA1 vs BSZ017NE2LS5IATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSZ036NE2LSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSZ017NE2LS5IATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSZ036NE2LSATMA1 BSZ036NE2LSATMA1 - 25V N-Channel OptiMOS Power MOSFET | Infineon

BSZ036NE2LSATMA1 - 25V N-Channel OptiMOS Power MOSFET | Infineon

BSZ036NE2LSATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSZ017NE2LS5IATMA1 BSZ017NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-FET, 1.7mΩ TSDSON-8

BSZ017NE2LS5IATMA1 - 25V OptiMOS 5 N-FET, 1.7mΩ TSDSON-8

BSZ017NE2LS5IATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSZ036NE2LSATMA1 BSZ017NE2LS5IATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 25V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 16 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 40 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 37 W —
প্যাকেজ PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) PG-TSDSON-8-FL (8-PowerTDFN)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Configuration Single —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55C to +150C —
MSL লেভেল 1 (Unlimited) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Gate Drive Logic-level compatible —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (TA) — 27 A
Continuous Drain Current (TC) — 40 A
On-Resistance RDS(on) @ VGS=10V — 1.7 mΩ
On-Resistance Test Current — 20 A
Gate-Source Voltage (VGS) Rating — ±16 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2 V @ 250 µA
Total Gate Charge Qg — 30 nC @ VGS=10V
Input Capacitance Ciss — 2000 pF @ VDS=12V
Power Dissipation (TA) — 2.1 W
Power Dissipation (TC) — 50 W
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55°C to +150°C
Series / Family — OptiMOS 5 25V

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট